三寸寒秋 作品

第二百八十五章:華國的佈局

    在通過彈幕瞭解到國內的廠商直接和島國槓起來後,韓元並沒有多說什麼,而是轉身繼續完成製備單晶硅。

    不過卻有細心的觀眾和各國的專家們發現這名主播的講解,似乎詳細了不少。

    “‘化學氣相沉積-硅核心外延法’製備單晶硅最主要的方式一般是兩種。”

    “第一種是‘四氯化硅氫還原法’。”

    “之前看過我製備碳化硅晶材的朋友應該就知道,‘四氯化硅氫還原法’是製取高純度多晶硅的一種方法。”

    “但事實上它同樣是可以用來製備單晶硅的。”

    “不過我今天使用的並非這個,而是第二種‘硅烷熱分解法’。”

    “相對於‘四氯化硅氫還原法’來說,‘硅烷熱分解法’更加簡單,製備流程走的步驟也更少一些。”

    “不過有一點要注意。”

    “那就是溫度。”

    “溫度對硅烷外延生長速度影響不大,但對外延層質量影響很大。”

    “例如,當溫度高於1100c時,外延層的自摻雜效應較為嚴重,反之,若溫度過低,外延層的晶體完整性差、缺陷多。”

    “實踐證明:當用氫氣作攜帶氣體時,1050c左右為最佳生長溫度;影響硅烷外延生長速度的最主要因素是硅烷在氫氣中的濃度,一般隨著氫氣中硅烷的增加,生長速度也按比例增加的”

    “另外要注意的是,雖然硅烷熱分解外延具有生長溫度較低,反應機構簡單,無鹵化物、無自滲雜等優點。”

    “但硅烷易燃易爆,而且硅烷外延時生成的單晶硅受硅烷氣體純度的影響較大,外延層雜質的分佈也比較難控制。”

    “所以如何提煉出來高純度的硅烷氣體,以及保持設備內的無塵淨結是使用‘硅烷熱分解法’製備單晶硅的重點。”

    “”

    通過韓元不斷的講解,直播間裡面的觀眾在一些其他觀眾的提示下,也逐漸發現講解內容變得更加詳細了。

    像溫度控制這種具體到某一個點,生長速度隨著氫氣攜帶濃度的提升而提升這種類型的細節,在以前的直播過程中是絕對沒有的。

    而這一次有了。

    這讓直播間裡面的絕大部分觀眾都興奮了起來,三朋五友的,這些觀眾不斷在現實中呼喊自己的朋友前來觀看。

    儘管他們看不懂,甚至都聽不懂韓元到底在說什麼。

    但直播間裡面的觀眾人數依舊在迅速上漲。

    主播間內熱鬧無比,不過觀眾轉移話題的速度依舊是那麼快。

    韓元一邊講解,一邊掃了眼彈幕。

    同逗魚平臺大名鼎鼎的周姐他還是認識的。

    作為一名逗魚平臺的‘忠實’用戶,他怎能不認識大名鼎鼎的‘啞巴周姐’。

    這是個不說話的御姐味十足,說話的男人味十足的‘妹子’。

    再加上一手不管怎麼露超管都不會管的梗,周姐還是挺出名的。

    沒有理會這些彈幕,韓元將自己的注意力放在手頭上的工作上。

    與此同時,現實,華國,位於京城的中科院‘重大科技任務局’聯合工程院‘冶金與材料工程學部辦公室’在傍晚七點多召開了一場新聞發佈會。

    這種已經處於下班時間還臨時召開發佈會的事情,引起了不少人和不少國家的注意