三寸寒秋 作品

第二百八十四章:出乎意料的國內商家

    能順手給島國找點麻煩,韓元是絕對不會介意的。

    單晶硅的冶煉,在目前的人類科技中,一般採用兩種方法。

    一種是坩堝直拉法。

    另一種是無坩堝懸浮區熔法。

    而這兩種方法,都是島國極其擅長的,其科技水平都是世界頂尖。

    最關鍵的是,兩種方法都需要單晶爐,這也是為什麼島國能將單晶爐賣的這麼貴的原因。

    在這一塊,別說華國了,就是它爹米國都比不上。

    畢竟單晶硅雖然重要,但對比起光刻機的關鍵技術來說,還是簡單不少的。

    單晶硅的製備,只需要實現從多晶到單晶的轉變,即原子由液相的隨機排列直接轉變為有序陣列,由不對稱結構轉變為對稱結構就可以了。

    難點在於固液界面移動的硅晶會出現析晶問題。

    而一旦出現析晶現象,會導致表面的單晶硅迅速被氧化變成二氧化硅。

    除此之外,直拉單晶硅的石英坩堝在經過高溫、冷卻等等步驟之後,會產生裂紋或者破裂,導致無法再次使用。

    並且,由於拉單晶對於坩堝的潔淨度要求很高,所以使用過的坩堝無法保證潔淨度,同時單晶硅對於坩堝的品質要求較高。

    所以在製備石英坩堝這一塊也是個難點。

    不過這些東西,從今天起,都是過去式了。

    你島國的單晶硅和單晶爐賣的再便宜,別人也不會再要了。

    和單晶爐直拉法比起來,‘化學氣相沉積-硅核心外延法’簡直有太多的優勢了。

    製備成本更低,生產出來的單晶硅程度更高,生產步驟中不需要有專人盯著等等等等。

    這種降維級別的打擊,就是這麼致命

    將能夠處理的材料都進行基礎處理後,韓元又一次來到了無塵工作室。

    不過和之前製備光刻機時不同,製備單晶硅要求的無塵環境要低好幾個檔次。

    萬級的無塵車間就足夠了。

    在化學實驗室初步處理過的基礎材料再度進行了深層次處理,韓元又檢查了一遍需要使用的儀器和材料。

    確認所有的東西都準備就緒後,韓元拉過拍攝鏡頭,道:“‘化學氣相沉積-硅核心外延法’一共有七個步驟。”

    “第一步:提供可供預處理的基底。”

    “第二步:清洗。”

    “第三步:提供可供單晶硅外延生長的腔體,腔體內設有基底儲放裝置,並將基底放置於基底儲放裝置上。”

    “第四步:向製備儀器腔體內通入還原性氣體,並將腔體內壓強和溫度調至製取時所需要的壓強和溫度。”

    “第五步:向製備儀器腔體內通入氣態硅源,在基底表面生成預設厚度的犧牲層。”

    “第六步:控制時間,讓單晶硅層在犧牲層上方形成。”

    “第七步:將單晶硅層和犧牲層的連接體與基底分離。”

    “七步程序,都可以使用計算機程序進行監控和控制,所以‘化學氣相沉積-硅核心外延法’非常適合單晶硅的機械化批量生產。”