三寸寒秋 作品
第四百一十三章：性能優異的碳基光刻膠
‘碳基紫外光引發劑’的核心成分光敏引發劑的製造過程相當複雜，哪怕其中一大半以上的步驟可以通過智能程序進行控制，其製備失敗的概率也不低。
即便是韓元，也折騰了兩天的時間，經歷了三次不同時期的失敗，才將光敏引發劑的兩種合成材料製備出來併合成出來完整的增感劑。
製備出來的增感劑整體無色透明，宛如蜂蜜一樣粘稠。
這些光敏引發劑裝在用聚酯材料構成的棕色瓶中, 保存在溫度控制在十度的漆黑冰箱中。
之所以不用玻璃容器裝，是因為成型後的光敏引發劑會和硅進行反應。
而存儲環境避光，原理也一樣。
從‘光敏引發劑’這個名字就能知道，這種材料對於光照的敏感度相當高，接觸光照會引發材料的性質變化。
所以合成出來後，一直到使用前，整體都必須要避光保存。
包括使用‘光敏引發劑’合成的‘碳基紫外光引發劑’, 也就是碳基芯片光刻膠，都得在避光環境下保存。
被取出來後，碳基光刻膠會逐漸因為接受到了光照、接觸了外界基底等因素而失效，時間大概是一個小時左右。
當然，如果僅僅是保存的話，通過避光、真空等手段，這種碳基光刻膠還是可以保存相當長的一段時間的。
像韓元這種使用棕色的聚酯瓶避光非真空保存，可以保存大概兩年的時間。
如果保存手段更嚴謹一點，保存的時間可以增加至三年左右。
這已經足夠了。
.......
花費了一週的時間，從溶劑組到增感劑到感光樹脂，韓元將其一一合成了出來，並組裝成了最終可用於石墨烯單晶晶圓上的光刻膠。
成型的光刻膠整體半透明，帶著微微乳白色，透光度相當高。
韓元保存好大部分的光刻膠後，取了一小部分做了個實驗。
之前製備完成切割好的石墨烯單晶晶圓取出來一小片，其中一半的面積塗抹上光刻膠，另一半則保持原樣。
處理好後的石墨烯單晶晶圓通過紫外光源進行照射，時間為期三十秒。
三十秒的照射時間過後，韓元將其取出, 通過特殊溶液清洗掉上面覆蓋的碳基光刻膠，然後浸入顯影溶液中。
雖然浸泡在溶液中的石墨烯晶圓肉眼看不出什麼變化，但當韓元用鑷子夾住晶圓在顯影溶液中輕輕晃盪的時候，就可以看到顯影溶液的顏色變化了。
那是被顯影溶液侵蝕掉並沖走了的石墨烯材料導致的。
.......
將石墨烯晶圓從顯影溶液中取出，清晰掉上面殘留的液體，透過觀察設備，可以清晰的看到這一塊石墨烯晶圓表面已經有了相當大的變化。
沒有被碳基光刻膠覆蓋的區域已經被顯影溶液侵蝕的差不多了，而覆蓋了光刻膠的另一半則並沒有什麼太明顯的變化。
這就是負性光刻膠的功勞了。
它覆蓋在石墨烯單晶晶圓表面後，通過紫外光照，可以在短時間內迅速變態，改變覆蓋區域的石墨烯結構，增強其對顯影溶液的抗性，讓其變得不容易被侵蝕。
而沒有覆蓋光刻膠的地方，就會被侵蝕掉，形成與遮光物的形狀相反的樣子。
也就是形成掩膜版相反的模樣。
這就是芯片通過光刻機雕刻的最主要原理，也是光刻膠在芯片製造過程中異常重要，甚至堪比光刻機的主要原因。
檢查了一下被顯影液侵蝕的石墨烯單晶晶圓，得到各種信息數據後，韓元也是露出了個燦爛的笑容。
製備出來的碳基光刻膠效果相當不錯, 被覆蓋的區域經過紫外光源的照射後幾乎完整的保留了下來。
而且這還只是普通能級的紫外光源就有這個效果, 如果是碳基芯片光刻機中使用的極紫外光，那效果會更好。
畢竟普通紫外光的波長和能級都無法與極紫外光相比。
.......
處理完碳基芯片使用的光刻膠，第三年的時間已經過去了八十天左右。
這是大致的時間，具體過去了多少天韓元沒有算，畢竟總是一個人在模擬空間裡面，算時間也沒什麼用。
即便是韓元，也折騰了兩天的時間，經歷了三次不同時期的失敗，才將光敏引發劑的兩種合成材料製備出來併合成出來完整的增感劑。
製備出來的增感劑整體無色透明，宛如蜂蜜一樣粘稠。
這些光敏引發劑裝在用聚酯材料構成的棕色瓶中, 保存在溫度控制在十度的漆黑冰箱中。
之所以不用玻璃容器裝，是因為成型後的光敏引發劑會和硅進行反應。
而存儲環境避光，原理也一樣。
從‘光敏引發劑’這個名字就能知道，這種材料對於光照的敏感度相當高，接觸光照會引發材料的性質變化。
所以合成出來後，一直到使用前，整體都必須要避光保存。
包括使用‘光敏引發劑’合成的‘碳基紫外光引發劑’, 也就是碳基芯片光刻膠，都得在避光環境下保存。
被取出來後，碳基光刻膠會逐漸因為接受到了光照、接觸了外界基底等因素而失效，時間大概是一個小時左右。
當然，如果僅僅是保存的話，通過避光、真空等手段，這種碳基光刻膠還是可以保存相當長的一段時間的。
像韓元這種使用棕色的聚酯瓶避光非真空保存，可以保存大概兩年的時間。
如果保存手段更嚴謹一點，保存的時間可以增加至三年左右。
這已經足夠了。
.......
花費了一週的時間，從溶劑組到增感劑到感光樹脂，韓元將其一一合成了出來，並組裝成了最終可用於石墨烯單晶晶圓上的光刻膠。
成型的光刻膠整體半透明，帶著微微乳白色，透光度相當高。
韓元保存好大部分的光刻膠後，取了一小部分做了個實驗。
之前製備完成切割好的石墨烯單晶晶圓取出來一小片，其中一半的面積塗抹上光刻膠，另一半則保持原樣。
處理好後的石墨烯單晶晶圓通過紫外光源進行照射，時間為期三十秒。
三十秒的照射時間過後，韓元將其取出, 通過特殊溶液清洗掉上面覆蓋的碳基光刻膠，然後浸入顯影溶液中。
雖然浸泡在溶液中的石墨烯晶圓肉眼看不出什麼變化，但當韓元用鑷子夾住晶圓在顯影溶液中輕輕晃盪的時候，就可以看到顯影溶液的顏色變化了。
那是被顯影溶液侵蝕掉並沖走了的石墨烯材料導致的。
.......
將石墨烯晶圓從顯影溶液中取出，清晰掉上面殘留的液體，透過觀察設備，可以清晰的看到這一塊石墨烯晶圓表面已經有了相當大的變化。
沒有被碳基光刻膠覆蓋的區域已經被顯影溶液侵蝕的差不多了，而覆蓋了光刻膠的另一半則並沒有什麼太明顯的變化。
這就是負性光刻膠的功勞了。
它覆蓋在石墨烯單晶晶圓表面後，通過紫外光照，可以在短時間內迅速變態，改變覆蓋區域的石墨烯結構，增強其對顯影溶液的抗性，讓其變得不容易被侵蝕。
而沒有覆蓋光刻膠的地方，就會被侵蝕掉，形成與遮光物的形狀相反的樣子。
也就是形成掩膜版相反的模樣。
這就是芯片通過光刻機雕刻的最主要原理，也是光刻膠在芯片製造過程中異常重要，甚至堪比光刻機的主要原因。
檢查了一下被顯影液侵蝕的石墨烯單晶晶圓，得到各種信息數據後，韓元也是露出了個燦爛的笑容。
製備出來的碳基光刻膠效果相當不錯, 被覆蓋的區域經過紫外光源的照射後幾乎完整的保留了下來。
而且這還只是普通能級的紫外光源就有這個效果, 如果是碳基芯片光刻機中使用的極紫外光，那效果會更好。
畢竟普通紫外光的波長和能級都無法與極紫外光相比。
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處理完碳基芯片使用的光刻膠，第三年的時間已經過去了八十天左右。
這是大致的時間，具體過去了多少天韓元沒有算，畢竟總是一個人在模擬空間裡面，算時間也沒什麼用。