第一百八十五章：N-漂移層

    高能離子注入這是對現代化集成芯片的要求。

    對於他來說，目前只要能將鋁離子注入到碳化硅晶體中形成一個過渡層就足夠了。

    而且他用的技術也並非純正的離子注入，正如之前有彈幕說的。

    他使用的是離子摻雜，而且是離子摻雜中的‘滲透摻雜法’。

    因為他手中並沒有離子注入機這種高科技東西，但這種晶體管又離不開n漂移層。

    所以他只能想辦法進行替代。

    離子摻雜就是他想到的辦法。

    這是一種合金工藝上的技術。

    通過對應的化學藥劑來將一種金屬鍍在另外一種金屬表面。

    最早其實出現在合金的冶煉上，後面被廣泛的應用到陶瓷、玻璃、複合物、聚合物等材料上。

    不過相比較現代化的離子摻雜技術，韓元對此做出了一些改進。

    比如玻璃容器中導電，在原本的離子摻雜中是沒有這一個步驟的。

    .........

    玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作為基地的溶液形成了電解液，溶液中的鋁離子通過加熱，通電，可以在碳化硅晶體上形成薄而相對均勻的摻雜層。

    摻雜出來的n漂移層也能起到足夠的作用，不過需要進行多次重複處理。

    儘管摻雜法需要多次電解摻雜和淬火，而且在均勻性和深度上遠遠無法和離子注入相比。

    但對於目前的他來說，這是最合適，也是最簡單的辦法了。

    隨著酒精燈的不斷加熱，溶液中的水分被不斷的蒸發掉，容器中的鋁離子溶液也逐漸開始變得粘稠。

    等到溶液已經無法覆蓋碳化硅晶體基底的時候，韓元斷掉了電源，將玻璃容器中的碳化硅晶材取出來，又倒掉已經被電解過的鋁離子溶液。

    碳化硅晶材清洗乾淨，然後吹乾，重新刷上一層石蠟鍍層，再次進行摻雜注入。

    按照標準流程，以他製造出來的鋁離子溶液的濃度需要進行重複六次的摻雜注入才能在碳化硅晶體底層形成一層可用的n漂移層。

    所以他還需要再重複五次摻雜注入，耗時最少要五個小時以上。