第一百七十二章：碳基芯片

    看著虛擬屏幕上的二級任務獎勵，韓元的喉結動了動，情不自禁的嚥了下口水。

    翻身，起立，他飛奔回書房打開電腦，從網上搜索著有關芯片相關的信息。

    【碳基芯片、仿生機器人、元宇宙、超時空音樂會……雲棲大會即將開幕，將重磅發佈核心技術。】

    【碳基芯片成華威救命稻草，華威主動公開專利，引發華米碳基芯片對決。】

    【硅基芯片即將到達極限？臺積電再傳好消息，我國早已佈局。】

    【硅基芯片物理極限是七納米，為何臺積電卻依然能做出五納米的芯片?】

    【硅基光電子與微電子單片集成研究進展.......】

    網頁上，一條又一條和芯片有關的信息映入韓元眼中。

    十餘分鐘後，他終於放下了鼠標，身體往後一倒，靠在椅背上。

    硅基芯片有另外一個名字，叫做‘硅基光電子集成芯片’。

    從命名來看，這個‘碳基集成電路板’幾乎可以確認屬於集成芯片中的概念。

    只是不知道這個集成電路能達到一個什麼樣的地步？

    能不能突破硅基芯片極限？

    對於這個，韓元很是期待。

    要知道，傳統的硅基芯片是有極限的。

    這是物理極限，由硅原子和硅晶格的直徑決定的，硅原子的直徑是0.117納米，但硅晶格的直徑是0.5納米左右。

    當硅基芯片突破1nm之後，量子隧穿效應將使得“電子失控”，芯片就完全失效。

    準確的說，傳統的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已經存在量子隧穿效應了。

    但後面科學家通過不斷的更換晶體管的材料來打破這個極限。

    世界上最小的晶體管是柵極長度為1納米的二硫化鉬。

    但無論再怎麼更換晶體管的材料，硅基底的物理特性擺在了哪裡。

    也就是說，硅基半導體材料的極限註定在一納米這個數字上。

    低於一納米，穿梭在晶體管中的電子會直接擊穿硅基底的晶格結構，從而造成電子亂串。

    這也就是所謂的‘量子隧穿效應’，亦是硅基芯片的極限。