八十 反接雙結字符組合（五）

    “為了表述方便，可以把該結構豎直起來，按照元流傳輸方向，從上到下將三段晶體分別稱為’集鍵區’、’基區’、’發射區’。

    “’集鍵區’與’基區’之間是第一個’鍵穴結’，可稱為’上方結’；’基區’與’發射區’之間是第二個’鍵穴結’，可稱為’下方結’。

    “在’基區’與’發射區’之間外接正向元壓va，構成第一個迴路，其中元流記為ia；在’集鍵區’與’發射區’之間外接正向元壓vb，構成第二個迴路，其中元流記為ib，該回路總元壓為vc，並且串聯一個’阻’字符，起到分壓作用；再將這兩個迴路於’發射區’後端媾合，共地相連，則’發射區’後端的元流為ia與ib的和。

    “這種使用形式在’反接雙結字符組合’中極為常見，可以叫做’共發射區迴路模式’，圖示如下…

    “’反接雙結字符組合’的典型應用，便是輸入元流對於輸出元流的放大作用，在上述迴路模式中，便是元流ia對於元流ib的放大作用，我們可以簡要分析一下:

    “調整迴路，使得元壓vc大於元壓vb大於元壓va，且元壓vb與元壓vc的差值大於’上方結’的反向偏置元壓，則’上方結’呈反向導通狀態，’下方結’呈正向導通狀態。

    “前面說過，’基區’很薄且熱摻雜率很小，則’下方結’中形成鍵子多而空穴少的局面，大量鍵子在外加元壓的作用下進入’基區’，只有很小一部分填補進空穴；

    “而’上方結’由於是反向導通狀態，與’下方結’的元流方向相同，所以兩個’鍵穴結’中的鍵子遷移方向也相同，在適當元壓的作用下，’下方結’中的大量多餘鍵子便會穿過’基區’，進入到’上方結’中。

    “如前所述，這種鍵子遷移作用是晶體內部元流的一種可能形式，而且鍵子遷移作用越高，內部元流也就越大。

    “從’下方結’到’上方結’的鍵子遷移形成的元流，與’上方結’中本身存在的反向飽和元流加在一起，便是’共發射區’迴路模式中，第二個迴路的輸出元流。

    “在這種情況下，由於’下方結’中的大量鍵子進入到第二個迴路當中，第一個迴路中的鍵子遷移作用便明顯很少，根據迴路中元壓值的設置，以及上述’鍵穴結’的思想，可以近似認為，第一個迴路中的元流只由少量鍵子與少量空穴結合產生，而且’下方結’中的少量鍵子填入’基區’空穴後，又在外加元壓va的作用下，源源不斷流出’下方結’，’下方結’的空穴便也源源不斷出現，從而持續驅動整個迴路，使得總體的鍵子遷移作用持續下去。

    “’上方結’中的反向飽和元流極小，在計算中可以忽略，則元流ib可近似為從’下方結’到’上方結’的大量鍵子遷移，而元流ia是’下方結’中的少量鍵子遷移，元流ia與ib之間近似擁有一種比例關係，即ib=α*ia，這個α，便是’反接雙結字符組合’中的’元流放大係數’。”

    “當然，不同形式的’反接雙結字符組合’在實際使用中，擁有不同的’元流放大係數’，歸根結底卻只是’結’字符繪製形式的不同，在’鍵穴結’思想中，’元流放大係數’也受到三段晶體的厚度與熱摻雜率的影響，從而出現不同的數值。